等离子水清洗 等离子水清洗原理

大家好，今天微星自动化（http://wxdcn.com/）小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于等离子水清洗的问题，于是微星自动化小编就整理了3个相关介绍等离子水清洗的解答，让我们一起看看吧。

文章目录：

1. 等离子清洗机和超声波清洗机的区别
2. 手机主板等离子清洗后怎么处理?
3. 太阳能硅片可用等离子清洗吗 ?

一、等离子清洗机和超声波清洗机的区别

等离子清洗原理与超声波原理不同，当舱体里接近真空状态时，开启射频电源，这时气体分子电离，产生等离子体，并且伴随辉光放电现象，等离子体在电场下加速，从而在电场作用下高速运动，对物体表面发生物理碰撞，等离子的能量足以去除各种污染物，同时氧离子可以将有机污染物氧化为二氧化碳和水蒸气排出舱体外。

等离子清洗不需要其他的原料，只要空气就能够满足要求，使用方便而且没有污染，

同时比超声波清洗更具有的优势是等离子不但可以进行表面清洗，更重要的是可以提高表面活性，等离子体与物体表面进行化学反应能够产生活性化学集团，这些化学集团有很高的活性，从而应用范围很广，比如提高材料表面粘接能力，提高焊接能力，邦定性，亲水性等等很多方面，因此等离子清洗已经成为清洗行业的主流与趋势。

使用的目的不同，等离子清洗机主要是提高清洗物品表面的贴合效果，工件表面不一定是洗干净了，但贴合效果比没有使用好很多。超声波清洗机主要用于清洗工件表面，提高表面洁净度。

等离子清洗机是一种干法清洗，主要清洗很微小的氧化物和污染物。它是用工作气体在电磁场的作用下激发出等离子体与物体表面产生物理和化学反应，从而达到清洗的目的；而超声波清洗机是一种湿法清洗，主要是清洗很明显的灰尘和污染物，属于一种粗略的清洗。它是用液体（水或者溶剂）在超声波的震动作用下对物体进行清洗，从而达到清洗的目的。启天科技生产的等离子清洗机就是一种清洗很精细、很彻底的表面处理设备。

二、手机主板等离子清洗后怎么处理?

一般来说，CPU插槽、AGP槽、PCI槽、南桥和北桥芯片底下、每个集成电路IC芯片的底下、内存槽旁边的金属触点旁边，还有BIOS芯片底下，都是不容易清理的和烘干的地方。洗刷的时候还可以使用超声波清洗仪（眼镜店一般都有）来清洗很难洗刷或者看不见的污垢，但是同时也可能对元件造成损伤。

烘干前，我们可以通过在主板上刷酒精以加快水分蒸发。烘干主板可以使用家用的电吹风，也可以拿到修车店用高压气泵吹干。烘干机最好用风流量比较大的，这样可以把不容易烘干的地方的水强制吹出来。烘干的时候一定要彻底，不然会导致局部短路，那样报废的可能就不仅仅是主板了。另外，主板烘干后要再晾一段时间，最好使用烘灯（或家用台灯）再烤24小时，以保证加电时不会有水蒸气存在。

按照这个原则，电脑主机里的CPU、板卡、内存甚至硬盘的电路板都可以拿出来清洗。必须要注意的是，如果确认不是由于灰尘太多造成故障的，或者不是到了万不得已的时候，最好不要单纯为了好看而清洗配件，毕竟这样做的风险相当大

三、太阳能硅片可用等离子清洗吗 ?

　　太阳能硅片表面等离子体清洗工艺

　　硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉。 去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所霈工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。

　　等离子硅片清洗条件参数：

　　1、硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗流程，然后进行该气体等离子体启辉；所用气体选自02、Ar、N2中的任一种；气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力1040毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率250-400W，时间1-10s。

　　2、如1所述的等离子体清洗方法，其特征在于所用气体为02。

　　3、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss。

　　4、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，上电极功率250-400W，时闾1-5s。

　　5、等离子体清洗方法，其特征在于气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss

　　说 明 书

　　等离子清洗涉及刻蚀工艺领域，并且完全满足去除刻蚀工艺后硅片表面残

　　留颗粒的清洗。

　　背景技术

　　在刻蚀过程中，颗粒的来源很多：刻蚀用气体如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蚀性，刻蚀结束后会在硅片表面产生一定数量的颗粒；反应室的石英盖也会在等离子体的轰击作用下产生石英颗粒；反应室内的内衬( liner)也会在较长时间的刻蚀过程中产生金属颗粒。刻蚀后硅片表面残留的颗粒会阻碍导电连接，导致器件损坏。因此，在刻蚀工艺过程中对颗粒的控制很重要。

　　目前，常用的去除硅片表面颗粒的方法有两种：一种是标准清洗( RCA)清洗技术，另一种是用硅片清洗机进行兆声清洗。RCA清洗技术所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统。其清洗工序为：一号液( SC-1)(NH40H+H202)—，稀释的HF(DHF)(HF+H20)—，二号液( SC-2)(HCl+ H202)。其中，SC．1主要是去除颗粒沾污（粒子），也能去除部分金属杂质。去除颗粒的原理为：硅片表面由于H202氧化作用生成氧化膜（约6nm，呈亲水性），该氧化膜又被NH40H腐蚀，腐蚀后立即发生氧他，氧化和腐蚀反复进行，附着在硅片表面的颗粒也随腐蚀层而落入清洗液内。自然氧化膜约0.6nm厚，与NH40H和H202的浓度及清洗液温度无关。SC-2是用H202和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与未被氧化的金属作用生成盐，并随去离子水冲洗而被去除，被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除。RCA清洗技术存在以下缺陷：需要人工操作，劳动量大，操作环境危险；工艺复杂，清洗时间长，生产效率低；清洗溶剂长期浸泡容易对硅片过腐蚀或留下水痕，影响器件性能；清洗剂和超净水消耗量大，生产成本高；去除

　　粒子效果较好，但去除金属杂质Al、Fe效果欠佳。

　　用硅片清洗机进行兆声清洗是将硅片吸附在静电卡盘( chuck)上，清洗过程中硅片不断旋转，清洗液喷淋在硅片表面。可以进行不同转速和喷淋时间的设置，连续完成多步清洗步骤。典型工艺为：兆声_氨水+双氧水（可以进行加温）_水洗_盐酸+双氧水-水洗_兆声一甩干。

　　用硅片清洗机进行兆声清洗的缺陷表现为：只能进行单片清洗，单片清洗时间长，导致生产效率较低；清洗剂和超净水消耗量大，生产成本高。

　　等离子清洗硅片表面颗粒原理：

　　等离子体清洗方法的原理为：依靠处于“等离子态”的物质的“活化作用，，达到去除物体表面颗粒的目的。它通常包括以下过程：a．无机气体被激发到等离子态；b．气相物质被吸附在固体表面；c．被吸附基团与固体表面分子反应生成产物分子；d．产物分子解析形成气相；e．反应残余物脱离表面。

　　等离子体清洗方法，它包括以下步骤：首先进行气体冲洗（purge）流程，然后进行该气体等离子体启辉。

　　所用工艺气体选自02、Ar、N2中的任一种。优选地，所用工艺气体选

　　02。

　　以上所述的等离子体清洗方法，氕体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，时间1-5s；启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-40毫托，工艺气体流量100-500sccm，上电极功率250-400W，时间1-10s。

　　优选地，气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，时间1-5s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力10-20毫托，工艺气体流量100-300sccm，上电极功率250-400W，时间1.Ss。

　　更优选地，气体冲洗流程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，时间3s;启辉过程的工艺参数设置为：腔室压力15毫托，工艺气体流量300sccm，上电极功率300W，时间Ss。

　　等离子清洗硅片后效果：

　　本发明所述的去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易，清洗彻底，无反应物残留，所需工艺气体无毒，成本低，劳动量小，工作效率高。

　　附图说明

　　图1等离子体清洗前后的CD-SEM（关键尺寸量测仪器）图片；

　　其中，CD: Criticaldimension关键尺寸。

　　图2等离子体清洗前后的FE-SEM（场发射显微镜）图片；

　　其中，FE: field emission场发射。

　　图3等离子体清洗前后的particle（粒子）图片。

　　在进行完BT（break through自然氧化层去除步骤）、ME（Main Etch主刻步骤）、OE（过刻步骤）的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行02的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为15毫托，02流量为300sccm，通气时间为3s;然后，进行含有02的启辉过程：腔室压力设置为15毫托，02流量为300sccm，上RF的功率设置为300W．启辉时间为Ss。

　　采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。

　　在进行完BT、ME、OE的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行Ar的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为10毫托，Ar流量为100sccm，通气时间为Ss;然后，进行含有Ar的启辉过程：腔室压力设置为10毫托，Ar流量为100sccm，上RF的功率设置为400W，启辉时间为10s。

　　采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。

　　在进行完BT、ME、OE的刻蚀过程后，立即在ICP等离子体刻蚀机( PM2)中进行以下气体等离子体冲洗和启辉流程：首先，进行N2的清洗过程，去除上一步的残留气体，腔室压力设置为40毫托，N2流量为500sccm，通气时间为Ss;然后，进行含有N2的启辉过程：腔室压力设置为40毫托，N2流量为500sccm，上RF的功率设置为250W，启辉时间为10s。

　　采用本工艺有效去除了刻蚀工艺后硅片表面残留的颗粒。

　　南京世锋科技等离子研究中心 QQ 283 加58 加8329

到此，以上就是微星自动化小编对于等离子水清洗的问题就介绍到这了，希望介绍关于等离子水清洗的3点解答对大家有用。