等离子体刻蚀机设备 等离子体刻蚀机设备厂家

大家好，今天微星自动化（http://wxdcn.com/）小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于等离子体刻蚀机设备的问题，于是微星自动化小编就整理了4个相关介绍等离子体刻蚀机设备的解答，让我们一起看看吧。

文章目录：

1. tel刻蚀机VIGUS原理
2. LamAutoEtch790干法刻蚀等离子刻蚀机原装配件哪里有?
3. 等离子蚀刻机(干刻)与等离子清洗机是一件事吗
4. 光刻机是用来做什么的?

一、tel刻蚀机VIGUS原理

用等离子体中的去轰击或溅射被刻蚀材料的表面分子，形成易挥发物质。
刻蚀机的组成一般包括等离子发生器（工业上常用RF激发法），真空室，和电极。其工作原理是用等离子体中的自由基去轰击或溅射被刻蚀材料的表面分子，形成易挥发物质，从而实现刻蚀的目的。也有部分等离子刻蚀机采用反应离子刻蚀技术。
刻蚀机可应用于所有的基材，甚至复杂的几何构形都可以进行等离子体活化、等离子体清洗，等离子刻蚀，等离子体镀膜也毫无问题。等离子体处理时的及机械负荷都很低，因此，低压等离子体也能处理敏感性材料。

二、LamAutoEtch790干法刻蚀等离子刻蚀机原装配件哪里有?

刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀两种。早期普遍采用的是湿法刻蚀，但由于其在线宽控制及刻蚀方向性等多方面的局限，3μm 之后的工艺大多采用干法刻蚀，湿法刻蚀仅用于某些特殊材料层的去除和残留物的清洗。

干法刻蚀也称等离子刻蚀。干法刻蚀是指使用气态的化学刻蚀剂（Etchant） 与圆片上的材料发生反应，以刻蚀掉需去除的部分材料并形成可挥发性的反应生成物，然后将其抽离反应腔的过程。刻蚀剂通常直接或间接地产生于刻蚀气体的等离子体，所以干法刻蚀也称等离子体刻蚀。

制造商: Lam Research、晶圆尺寸: 4″/5″/6″、传片系统: 全自动, 原装机械传片系统、等离子电源: 射频,13.56MHz、类型: 晶圆水平放置，单片工艺，等离子刻蚀，独立机台、刻蚀材料：阻挡金属/合金（如钛/钨）刻蚀

LAM Research300mm设备Lam 2300系列产品，有Versys（Poly），Exelan Flex（Die）等。TEL 300mm设备有SCCM、Telius等。刻蚀工艺顺序位于镀膜和光刻之后。简单来说，刻蚀机的作用就好像是雕刻中的刻刀一样，利用光学-化学反应原理和化学、物理等刻蚀方法，将晶圆表面附着的不必要的材质进行去除，留下的就是晶圆所需要的材质和附着在其上的光刻胶。然后再多次重复上述步骤，就可得到构造复杂的集成电路。

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三、等离子蚀刻机(干刻)与等离子清洗机是一件事吗

等离子刻蚀机主要采用射频等离子源（也有采用微波离子源）激发反应气体产生等气体离子对目标物进行物理轰击，以达到去除指定物质手段。因为反应力度要求较大，所以等离子刻蚀机基本是采用RF射频等离子发生方式。同理，如果控制等离子源功率和其他相关参数可以降低反应力度，从而也可以对一般电子元件进行清洗去除污染物。从这层作用来讲他们可以共用。

但是在半导体生产过程中，刻蚀和清洗两个工作步骤往往分开的，不共用同一套设备。为了避免物理轰击对元件成型电路带来不可预知的损伤，现在等离子清洗机主流逐渐采用微波等离子清洗机(可百度搜索)了。它的优势是表面电子能比RF少2个数量级，因此可以说对目标物能达到无损。

等离子蚀刻和等离子清洗不是一回事，具体表面在应用的原理和处理方法，以及处理的结果都不一样。

达因特等离子清洗其实应该叫等离子处理，是通过等离子体轰击于产品表面，把原来疏水的表面变得亲水，从而提高了产品的表面附着效果。

四、光刻机是用来做什么的?

 018年12月，中微半导体设备（上海）有限公司自主研制的5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5纳米制程生产线。5纳米，相当于头发丝直径（约为0.1毫米）的二万分之一，将成为集成电路芯片上的最小线宽。台积电计划2019年进行5纳米制程试产，预计2020年量产。

▲半导体器件工艺制程从14纳米微缩到5纳，等离子蚀刻步骤会增加三倍

刻蚀机是芯片制造的关键设备之一，曾一度是发达国家的出口管制产品。中微半导体联合创始人倪图强表示，中微与科林研发(Lam

Research)、应用材料(Applied Materials)、东京威力科创(Tokyo Electron

Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies)

4家美日企业，组成了国际第一梯队，为7纳米芯片生产线供应刻蚀机。中微半导体如今通过台积电验证的5纳米刻蚀机，预计能获得比7纳米更大的市场份额。

中科院SP超分辨光刻机

提问者所说的中国光刻机达到世界先进水平，应该是指2018年11月29日通过验收的，由中国科学院光电技术研究所主导、经过近七年艰苦攻关研制的“超分辨光刻装备”项目。

该项目下研制的这台光刻机是“世界上首台分辨力最高的紫外(即22纳米@365纳米)超分辨光刻装备”。这是一种表面等离子体（surfaceplasma，SP）超分辨光刻装备。

▲中科院研制成功并通过验收的SP光刻机

该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片。

▲中科院研发的光刻机镜头

目前这个装备已制备出一系列纳米功能器件，包括大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片、超表面成像器件等，也就是说，目前主要是一些光学等领域的器件。验证了该装备纳米功能器件加工能力，已达到实用化水平。

▲中科院SP光刻机加工的样品

然而，此次验收合格的中科院光电技术研究所的这台表面等离子超衍射光刻机（SP光刻机）的加工精度与ASML的光刻机没法比。没法用于刻几十纳米级的芯片，至少以现在的技术不能。

据光电所专家称，该所研制成功的这种SP光刻机用于芯片制造上还需要攻克一系列的技术难题，目前距离还很遥远。也就是说中科院研制的这种光刻机不能（像一些网媒说的）用来光刻CPU。它的意义是用便宜光源实现较高的分辨率，用于一些特殊制造场景，很经济。

总之，中科院的22纳米分辨率光刻机跟ASML垄断的光刻机不是一回事，说前者弯道超车，就好像说中国出了个竞走名将要超越博尔特。

显然，中科院研制成功的这台“超分辨光刻装备”并不能说明我国在市场主流的的光刻机研制方面已经达到了世界先进水平，那么现阶段我国的光刻机的真实水平又是怎样的呢？且看以下对比。

到此，以上就是微星自动化小编对于等离子体刻蚀机设备的问题就介绍到这了，希望介绍关于等离子体刻蚀机设备的4点解答对大家有用。