等离子刻蚀机_等离子刻蚀机原理

大家好，今天微星自动化小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于等离子刻蚀机的问题，于是微星自动化小编就整理了4个相关介绍等离子刻蚀机的解答，让我们一起看看吧。

1. 等离子蚀刻有辐射吗
2. 中微3nm蚀刻机与芯片光刻机区别
3. 上海刻蚀机
4. 什么是刻蚀

等离子蚀刻有辐射吗

基本上有辐射。

等离子是具有辐射的，因为的话那个等离子的辐射远大于液晶电视，屏幕四角的辐射值大于8μT，屏幕中央的辐射值超过15μT。不过在不同画面状态，等离子电视的辐射相差较大。在明亮画面时，辐射值会很高，而暗场景时，辐射值会直线下降。所以需要注意。

不大的，等离子不度会击穿钢铁，所以放知心，而且辐射的话基本没有的。

中微3nm蚀刻机与芯片光刻机区别

这就是蚀刻机和光刻机之间的区别了

最简单的区别就是光刻机把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面，刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀，这就是这光刻和蚀刻的难度。

光刻的过程就是现在制作好的硅圆表面涂上一层光刻胶，接下来通过光线透过掩膜照射到硅圆表面，因为光刻胶的覆盖，照射到的部分被腐蚀掉，没有光照的部分被留下来，这部分便是需要的电路结构。

蚀刻则是电路结构了，干刻目前还没有实现商业量产，其原理是通过等离子体代替化学溶液，去除不需要的硅圆部分。

上海刻蚀机

      上海刻蚀机有中微半导体(上海)有限公司自主研发的五纳米等离子，其性能秀良。刻蚀机是芯片制造的关键装备之一，也是全球屈指可数的五纳米刻蚀技术之一，中微刻蚀(上海）有限公司拥有六百多名来自世界各地、研发团队很完整，体现了上海科技的发展。

上海的刻蚀机已经生产出来了。就是中国的中微。

2021年5月8日消息，中微公司成功研制出3nm蚀刻机，且完成了原型机的设计、制造、测试及初步的工艺开发和评估，并已进入量产阶段。

中微半导体设备（上海）有限公司是一家具有自主研发功能的科研企业，研发了多款具自主知识产权的芯片设备，并在全球范围内申请了1200余项专利。

什么是刻蚀

刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。

中文名

刻蚀

外文名

etch

工艺

半导体制造工艺

狭义理解

光刻腐蚀

基本内容

刻蚀方法

刻蚀最简单最常用分类是：干法刻蚀和湿法刻蚀。显而易见，它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。

湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其特点是：

湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀

优点:

选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。

缺点是：

钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小的特征尺寸；会产生大量的化学废液。

干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。按照被刻蚀的材料类型来划分，干法刻蚀主要分成三种：金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅。干法刻蚀优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。

干法刻蚀方式很多，一般有：溅射与离子束铣蚀， 等离子刻蚀（Plasma Etching），高压等离子刻蚀，高密度等离子体（HDP）刻蚀，反应离子刻蚀（RIE）。另外，化学机械抛光CMP，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。

有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀，这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护地区域。

到此，以上就是微星自动化小编对于等离子刻蚀机的问题就介绍到这了，希望介绍关于等离子刻蚀机的4点解答对大家有用。