等离子气相沉积设备 等离子气相沉积设备有哪些

大家好，今天微星自动化（http://wxdcn.com/）小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于等离子气相沉积设备的问题，于是微星自动化小编就整理了5个相关介绍等离子气相沉积设备的解答，让我们一起看看吧。

文章目录：

1. MPCVD装置是什么?
2. 等离子表面处理设备,等离子表面处理设备
3. 微波等离子体化学气象沉积的工作原理?
4. PECVD定义
5. PCEVD是什么意思?

一、MPCVD装置是什么?

mpcvd即Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition的单词缩写，中文意思为微波等离子体化学气相沉积。mpcvd装置是用来批量生长单晶、多晶金刚石的一种设备。

微波等离子体化学气相沉积（Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition)，用微波等离子体设备进行化学气相沉积

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微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD)

二、等离子表面处理设备,等离子表面处理设备

我所知道的就奥坤鑫，性价比高！

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等离子表面处理设备，用的同京世锋科技，生产线降温配的冷水机是凯德利冷机品牌。

奥坤鑫等离子设备主要适用于各种材料的表面改性处理：表面清洗、表面活化、表面刻蚀、表面接枝、表面沉积、表面聚合以及等离子体辅助化学气相沉积：

★表面清洗：粘接、锡焊、电镀前的表面处理

★表面活化：生物材料的表面修饰，印刷涂布或粘接前的表面处理

★表面刻蚀：硅的微细加工，玻璃等太阳能领域的表面刻蚀处理

★表面接枝：材料表面特定基团的产生和表面活化的固定

★表面沉积：疏水性或亲水性层的等离子体聚合沉积

等离子设备广泛应用于金属、微电子、聚合物、生物功能材料、低温灭菌及污染治理等多种领域，是企业、科研院所进行等离子体表面处理的理想设备。

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三、微波等离子体化学气象沉积的工作原理?

CVD法制备金刚石膜的工艺已经开发出很多种，其中主要有：热丝法（Hot Filament CVD, 简称HFCVD）[1]、微波法（Microwave Plasma CVD, 简称MPCVD）[2]、直流等离子体炬法（DC Plasma-jet CVD）[3]和氧-乙炔燃烧火焰法（Oxy-acetylene Combustion Flame）[4]。其中，微波法是用电磁波能量来激发反应气体。由于是无极放电，等离子体纯净，同时微波的放电区集中而不扩展，能激活产生各种原子基团如原子氢等，产生的离子的最大动能低，不会腐蚀已生成的金刚石。与热丝法相比，避免了热丝法中因热金属丝蒸发而对金刚石膜的污染[5]以及热金属丝对强腐蚀性气体如高浓度氧、卤素气体等十分敏感等缺点，使得在工艺中能够使用的反应气体的种类比HFCVD中多许多；与直流等离子体炬相比，微波功率调节连续平缓，使得沉积温度可连续稳定变化，克服了直流电弧法中因电弧的点火及熄灭而对衬底和金刚石膜的巨大热冲击而造成在DC plasma-jet CVD中金刚石膜很容易从基片上脱落[6]；通过对MPCVD沉积反应室结构的结构调整，可以在沉积腔中产生大面积而又稳定的等离子体球，因而有利于大面积、均匀地沉积金刚石膜，这一点又是火焰法所难以达到的[7]，因而微波等离子体法制备金刚石膜的优越性在所有制备法中显得十分的突出

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四、PECVD定义

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 等离子体增强化学气相沉积法 　　PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).

PECVD：是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD).

PECVD优点：基本温度低；沉积速率快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂。

PECVD缺点：

　1.设备投资大、成本高，对气体的纯度要求高；

　2.涂层过程中产生的剧烈噪音、强光辐射、有害气体、金属蒸汽粉尘等对人体有害；

　3.对小孔孔径内表面难以涂层等。

常见的PECVD薄膜：

　氮化硅、氧化硅、氮氧硅等

五、PCEVD是什么意思?

PECVD就是化学气相沉积法，是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域，PCEVD是等离子体增强化学气相沉积英文的各个词字母的首个字母。

PCEVD 是一种化学气相沉积技术的缩写，其全称为Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition（等离子增强化学气相沉积）。这是一种常用的薄膜制备技术，常用于制备薄膜材料或涂层。

PCEVD 通过在化学气相沉积过程中引入等离子体来增强反应的进行。在 PCEVD 过程中，先将气态前体物质引入反应室内，然后通过加热或微波等方式激发气态前体产生等离子体，进而使化学反应进行。等离子体的引入可以提高反应的速率和效率，并且可以得到更纯净和均匀的薄膜。这种技术在薄膜制备、表面改性、涂层等领域有广泛应用。

到此，以上就是微星自动化小编对于等离子气相沉积设备的问题就介绍到这了，希望介绍关于等离子气相沉积设备的5点解答对大家有用。