氧气等离子清洗器 氧气等离子清洗器怎么用

大家好，今天微星自动化（http://wxdcn.com/）小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于氧气等离子清洗器的问题，于是微星自动化小编就整理了2个相关介绍氧气等离子清洗器的解答，让我们一起看看吧。

文章目录：

1. 等离子清洗机的介绍
2. 等离子清洗机处理晶圆的时候为什么会产生闪光?是因为真空腔里面加入了氧...

一、等离子清洗机的介绍

Kimberlite等离子清洗设备。

1，清洗时间短，反应速度快：在气体放电瞬间发生等离子体反应，改变表面的性质可能就需要几秒；

2，等离子清洗温度低或接近常温，不会对材料造成损害；

3，等离子体是具有高能量，无需添加催化剂即可实现的反应，达到表面改性效果；

4，应用范围广，对处理对象无要求，均可进行表面性能改造；

5，等离子清洗有效控制企业的成本，易操作，可连续运行无需24小时看管；

6，最后一点，也是非常重要的一点。等离子清洗相比传统清洗更环保，不使用氯代烃清洗剂、水基清洗剂和碳氢溶剂等，不仅具有毒性、水处理繁琐、清洗效果较差以及不易干燥安全性。

普特勒电气科技公司专注于等离子技术产品的研发、应用与生产，通过等离子技术的进步，可以取代原有的低效率、重污染、高成本的生产工艺环节，为各个领域的工艺优化提供更好的方案。

主要技术产品：

低温大气射频辉光等离子技术

低温大气射流等离子技术

低温中频真空等离子技术

低温射频真空等离子技术

PTL--普特勒低温大气射频辉光等离子技术

PTL普特勒公司通过多年射频电源的研发经验及对放电控制技术深入实验，成功实现了在大气压下的射频均匀辉光放电，使射频辉光放电不再需要真空状态，实现了最大2000mm的宽幅均匀辉光放电，并在多个领域实现应用。系统使用方便、性能稳定、低耗高效。

PTL-普特勒低温大气射频辉光等离子系统的应用领域

FPD 方面

LCD, LTPS, OLED等各种基板玻璃表面清洗和连接前工艺的设备，不需要真空排气。采用均匀大气压等离子，以大气压等离子的问题点Stremer或者Arc的产生为准则阻断，基板上无损坏的表面清洗工艺。另外多元电极和原有大气压等离子技术相比，扩张性比较容易，所以从第一代较小的基板开始到第十代3000mm扩大的大型基板都可以使用。

TSP 方面

触摸屏的主要工艺的清洗，提高OCA/OCR，压层，ACF，AR/AF涂层等工艺上的粘合力/涂层力，为去除气泡/异物，通过多种大气压等离子形态的运用，可以将各种玻璃，薄膜均匀的大气压等离子放电使表面无损坏进行处理。

半导体 方面

半导体成型工艺，刻模工艺&焊接工艺，焊球连接&安装工艺的广泛使用可以提高芯片和环氧间的粘结力，和引线框架的安装和粘接力，板材和焊球之间的粘结力。防止半导体特性上的电气损坏或者容易发生的静电问题 ，可以采用多元系统技术。另外，因为可以根据硅片的大小制造大气压等离子，无论多小的等离子都可以适用。

二、等离子清洗机处理晶圆的时候为什么会产生闪光?是因为真空腔里面加入了氧...

等离子体一般是在高压或高温的气体中产生，当等离子设备中的等离子体里面的粒子能量达到一定程度后就会发光，此时电压或温度一般较高。也可以说等离子体是在真空状态下产生，激发等离子体一般可以是直流、射频、微波等，要确定是否是等离子体辉光，具体要看产生辉光的环境！在这些情况下激发所产生的就是等离子体发光了。

硅晶片使用等离子处理真空腔里面闪光是正常的，讲清洗其整个过程还比较麻烦。至于等离子除胶通入氧气是常见做法，氧气等离子除胶，原理就是将氧气变成，中性的氧气的变成带电粒子（有，也有负电荷），这些高能粒子轰击物体表面，提高，这就改变物体表面的性质，像使硅片亲水。因为表面能量过高，处于不稳定的状态，所以这种效果稍纵即逝。

不过用特殊气体（少量）和空气作为工艺气体，在处理表面形成羟基，达到亲水效果，大大延长。

等离子表面处理是一种新的技术，可以实现很多功能，主要是超洁净清洗、活化、刻蚀、涂覆这四种。

如果你想要达到活化使得硅片具有亲水的效果，需要使用功率高的进行处理，这时活化的功能占据主导地位，而时效性可以达到1个月至半年。

最前沿的等离子表面处理技术，就是涂覆的功能，在硅片表面加上纳米级别的亲水涂层，而且不影响硅片本身的性能，最终要的一点是这种处理的时效性是永久的

晶圆片级封装等离子体处理在晶园级封装中的先进应用日益增多，由于半导体器件制造商进一步缩小尺寸，提高封装器件的可靠性，等离子处理机在更高层次的晶圆级封装中得到了越来越多的应用。晶圆片等离子清洗机可以处理多种尺寸的晶片，大容量，自动化处理。

片状清洗等离子清洗机用于消除晶园级设备制造或上游组装过程中所产生的污染物。不管是哪种情况，清洁产品以去除氟，氧化物或是金属的污染，都会大大提高集成电路的产量，可靠性和性能。

脱渣为残留量有时仍在发展、处理。等离子体处理在进一步处理之前，少量抗蚀剂在晶片的整个表面上被均匀地去除。晶圆片等离子清洗机等离子体处理可用于成批剥离，材料包括，氧化物，氨化物蚀刻，。蚀刻率均匀度大于97%，每分钟1微米可实现。剥离与蚀刻工艺可用于圆片级封装，MEMS制造及磁盘驱动器处理。硅片前处理等离子处理机去除污染物和氧化，提高粘接率和可靠性。此外，等离子清洗机还为微粗糙改善晶片钝化层之间的粘附。

在UBM中，BCB与UBM的粘附等离子体处理改变晶片的钝化层的形态和润湿作用。高分子材料，例如苯并环丁烯（BCB）和UBM，在晶片的介电层中重新分布。等离子体清洗机处理使硅片初始钝化层形态发生变化，润湿性增强。介质图案形成再分配层的典型方法包括采用典型光刻方法对介质再分配材料进行图案化。晶圆片等离子清洗机等离子体清洗是介质图案化的可行替代方法，并可避免传统的湿法处理。

利用WLP小孔的清理，将晶片组成在堆叠芯片上，常会产生残余的产物，通过形成过程。通等离子体过优化结构，可以在不损伤晶片表面的情况下处理通孔。压凹等离子清洗可改善压凹粘连，提高压凹剪切强度。通过改善晶片表面的凹凸粘连，等离子清洗机可以显著提高凹凸剪切强度，凸模材料包括焊料和金钉的不同成分。

到此，以上就是微星自动化小编对于氧气等离子清洗器的问题就介绍到这了，希望介绍关于氧气等离子清洗器的2点解答对大家有用。